درباره وبلاگ


عطر و ادکلن به قیمت عمده

مدیر وبلاگ : آیدا امیری
موضوعات
نویسندگان
آمار وبلاگ
  • کل بازدید :
  • بازدید امروز :
  • بازدید دیروز :
  • بازدید این ماه :
  • بازدید ماه قبل :
  • تعداد نویسندگان :
  • تعداد کل پست ها :
  • آخرین بازدید :
  • آخرین بروز رسانی :
عطر و ادکلن به قیمت عمده
عطر و ادکلن به قیمت عمده
صفحه نخست             تماس با مدیر           پست الکترونیک               RSS                  ATOM
استتار جنبشی در یک وضعیت

قیمت:120000ریال

موضوع  :

استتار جنبشی در یک وضعیت تصادفی

فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش)

چکیده- این کار مدل‌های دو و سه بُعدی و قوانین کنترل هدایتی برای استتار جنبشی، که یک استراتژی تعقیب مخفیانه در طبیعت است، را به زبان ریاضی بیان می‌کند. در اینجا ما مدل را توسعه می‌دهیم تا دربرگیرنده استفاده از یک قانون تعقیب با بهره بالا در حضور نویز حسگر و نیز در مواقعی باشد که هدایت evader(گریزنده) توسط یک فرایند تصادفی فرمان داده می‌شود، تا نشان داده شود که (در تنظیمات مسطح) استتار جنبشی هنوز در زمان محدود قابل دسترسی است. همچنین ما خانواده‌ای از کنترل‌های تصادفی مُجاز گریزنده را بحث کرده و بدین ترتیب برای مطالعه آتی نظریه بازی‌های مربوط به استراتژی‌های بهینه گریز طرحی را بیان می‌کنیم

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:

1)اصل مقاله لاتین 8صفحه  IEEE

2) متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی 20 صفحه



جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید





نوع مطلب :
برچسب ها : استتار جنبشی در یک وضعیت تصادفی، استتار جنبشی، پروژه کارشناسی ارشد برق، ترجمه مقاله، استراتژی‌های بهینه گریز،
لینک های مرتبط :


ترجمه مقاله یک ژنراتور sag ولتاژ تکفاز جهت تست تجهیزات الکتریکی

قیمت:80000ریال

ترجمه مقاله یک ژنراتور sag ولتاژ تکفاز جهت تست تجهیزات الکتریکی

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای :

1) اصل مقاله لاتین IEEE تعداد صفحه ها 5 صفحه        

2) فایل ورد ترجمه شده بصورت تخصصی 13 صفحه

  چکیده  :

این مقاله یک ژنراتور sag ولتاژ ترانسفورمری (VSG) مناسب برای اندازه گیری قابلیت سوسپتانس تجهیزات الکتریکی به sag ولتاژ را بیان می کند. در VSG (منظور تولید کننده ی sag ولتاژ که بر مبنای ترانسفورماتور کار می کند) ساخته شده،از یک اتو ترانس و 2 رله حالت ماندگار (SSR) برای ارایه ولتاژ نامی و ولتاژ sag به بار استفاده شده است. وضعیت سوییچینگ دو رله حالت ماندگار (SSR) توسط سیگنال مدت زمان ولتاژ نامی و ولتاژ sag تولید شده توسط مدارات الکترونیکی کنترل می شود. نتایج عملکرد VSG نشان می دهد که این ژنراتور sag کنترل موثری از دامنه ی sag،مدت زمان sag،نقاط آغاز و پایان sag بر روی شکل موج ولتاژ خروجی انجام می دهد. همچنین اگر نیاز باشد می تواند به عنوان تولید کننده ی swell ولتاژ و تولید کننده ی وقفه ولتاژ عمل کند. با تهیه ترانسفورماتور فشار قوی از سمت اولیه،VSG می تواند sag،swell،و وقفه ولتاژ فشار قوی را نیز ارایه دهد.

ساخت VSG ارایه شده در آزمایشگاه و بطور دستی  آسان تر است،و هزینه های ساخت آن بسیار پایین تر از تهیه ی محصولات VSG آن از بازار فعلی است.



جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید





نوع مطلب :
برچسب ها : ترجمه مقاله، ژنراتور sag، ولتاژ تکفاز، تست تجهیزات الکتریکی، پروژه کارشناسی ارشد برق، دانلود پروژ] برای رشته برق،
لینک های مرتبط :


یک روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده، برای کاهش جریان نشتی

قیمت:120000ریال

ترجمه مقاله یک روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده، برای کاهش جریان نشتی

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل دانلودی شامل:

1)اصل مقاله لاتین IEEE

2) فایل ورد ترجمه شده 31 صفحه

   چکیده »

کنترل بردار ورودی (IVC) تکنیک معروفی برای کاهش توان نشتی است. این روش، از اثر پشته های ترانزیستوری در دروازه های منطقی (گیت) CMOS _با اعمال مینیمم بردار نشتی (MLV) به ورودی های اولیه ی مدارات ترکیبی، در طی حالت آماده بکار_ استفاده می کند. اگرچه، روش IVC (کنترل بردار ورودی)، برای مدارات با عمق منطقی زیاد کم تاثیر است، زیرا بردار ورودی در ورودی های اولیه تاثیر کمی بر روی نشتی گیت های درونی در سطح های منطقی بالا دارد. ما در این مقاله یک تکنیک برای غلبه بر این محدودیت ارایه می کنیم؛ بدین سان که گیت های درونی با بدترین حالت نشتی شان را، با دیگر گیت های کتابخانه جایگزین می کنیم، تا عملکرد صحیح مدار را در طی حالت فعال تثبیت کنیم. این اصلاح مدار، نیاز به تغیر مراحل طراحی نداشته، ولی دری را به سوی کاهش بیشتر نشتی _وقتی که روش MLV (مینیمم بردار نشتی) موثر نیست_ باز می کند. آنگاه ما، یک روش تقسیم-و-غلبه که جایگزینی گیت های را مجتمع می کند، یک الگوریتم جستجوی بهینه MLV برای مدارات درختی، و یک الگوریتم ژنتیک برای اتصال به مدارات درختی، را ارایه می کنیم. نتایج آزمایشی ما بر روی همه ی مدارات محک MCNC91، نشان می دهد که  1) روش جایگزینی گیت، به تنهایی می تواند 10% کاهش جریان نشتی را با روش های معروف، بدون هیچ افزایش تاخیر و کمی افزایش سطح، بدست آورد:  2) روش تقیسم-و-غلبه، نسبت به بهترین روش خالص IVC 24% و نسبت به روش جایگذاری نقطه کنترل موجود 12% بهتر است:  3) در مقایسه با نشتی بدست آمده از روش MLV بهینه در مدارات کوچک، روش ابتکاری جایگزینی گیت و روش تقسیم-و-غلبه، به ترتیب می توانند بطور متوسط 13% و 17% این نشتی را کاهش دهند.



جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید





نوع مطلب :
برچسب ها : ترجمه مقاله، روش کنترل بردار ورودی، جایگزینی گیت ترکیب شده، کاهش جریان نشتی، پروژه کارشناسی ارشد برق، کنترل بردار ورودی (IVC)، روش MLV مینیمم بردار نشتی،
لینک های مرتبط :


مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

قیمت:110000ریال

موضوع  :

ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

    فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش)

پروژه کارشناسی ارشد برق

چکیده

در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

کلمات کلیدی: ولتاژ پایین، کم توان، زیرآستانه، مقیاس نانو

فایل محتوای:

  1. اصل مقاله لاتین 5صفحه IEEE
  2. متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی 13صفحه



جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید





نوع مطلب :
برچسب ها : ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری، پروژه کارشناسی ارشد برق، ترجمه مقاله، زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری، نانومتری،
لینک های مرتبط :




( کل صفحات : 8 )    ...   4   5   6   7   8   
 
 
برچسب ها
پیوندها
آخرین مطالب
 
   
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Mobile Traffic | سایت سوالات